项目位于广州市黄埔区，场地总用地面积约 63 万m²，总建筑面积约 121 万m²。原场地为废弃采石坑，在地基处理前已开展土方开挖及场地平整。拟建建筑包括ARRAY厂房、CELL/CF厂房、BEOL厂房、LCM厂房、污水处理站、中央动力站、大宗气站、220 kV变电站以及其他生产及配套设施。

作为高世代显示面板生产线项目，场地需承载大型工业厂房、精密制造设备及多种公用工程设施，对基础承载性能、变形控制、地基均匀性及长期稳定性提出了较高要求。

场地原始地坪标高普遍高于设计标高，强夯施工前需对设计标高以上土体进行开挖清除。不同区域原始标高差异明显，平均开挖深度约 1.7 m，局部区域开挖深度不一，对土方工程协调、分区施工以及开挖与后续强夯之间的施工界面衔接提出了较高要求。

开挖后场地底部含水量较高，部分区域地下水补给明显。其中2-2区靠近湖区，地下水位较高，开挖后约 3 天内地下水即在开挖面形成积水，对强夯施工窗口、场地排水及施工顺序造成影响。

项目包含多栋大型工业建筑及生产配套设施，未来生产设备对精度及运行稳定性要求较高。因此，地基处理不仅需要提高承载力，还需控制差异沉降并提高整体地基均匀性。

针对开挖后地下水影响显著以及不同区域处理深度和处理要求差异较大的特点，项目采用“开挖—强夯—回填—再次强夯”的总体施工流程，并根据地质条件、设计标高及未来使用功能进行分区处理。

采用 3,000 kN·m、8,000 kN·m、10,000 kN·m及 12,000 kN·m等不同强夯能级，对软土地基及回填土层进行分阶段处理，提高地基密实度、承载性能及整体稳定性。

具体分区处理如下：

• 2-1区：采用三遍强夯；
• 1-1、1-2、1-3、2-2及2-3区地下室区域：采用两遍强夯；
• 1-4、1-5、红线外1区、2-3区部分区域、2-4、2-5及停车区域：采用一遍强夯。

通过分区、分层及差异化能级强夯，解决了废弃采石坑复杂地形、开挖后高水位以及不同建筑区域基础要求差异等问题，提高了地基承载力、场地均匀性及沉降控制能力，为后续项目建设提供了可靠的地基条件。